次世代太陽能電池研究計畫

計畫介紹

計畫構想發展的高效率疊層式鈣鈦礦/矽太陽能電池的製程技術,是以矽基太陽能池元件為基礎,疊層製作鈣鈦礦太陽能池元件,將兩個在不同光波段吸收工作的太陽能電池,利用疊層式元件的結構設計,突破單一層太陽能元件的蕭克利-奎伊瑟理論極限(Shockley-Queisser limit),所發展的疊層式太陽能電池發電模組有可大幅的提升到30 %以上光電能轉換效率。而太陽能電池模組單位面積照光產電量的提升,可以降低依賴燃媒發電與減少溫室氣體排放問題,為達成全國淨零排放之一項目標技術。

研究員

朱治偉 gchu@gate.sinica.edu.tw
研究員

郭宗枋 guotf@gate.sinica.edu.tw

團隊成員

林振富
博士後研究員

氧化物、透明導電膜濺鍍製程及鈣鈦礦氣相沈積製程開發與優化

盧音翰
行政助理

本計畫業務報帳、資料彙整及行政聯繫等事宜

高筠筑
研究助理

鈣鈦礦氣相沈積製程開發與優化

陳昱廷
兼任助理 (博士生)

鈣鈦礦上電池元件製作、緩衝層優化、製作與量測疊層元件

李亮
兼任助理 (博士生)

鈣鈦礦上電池元件製作優化

約瑟法翰
兼任助理 (博士生)

雙面透光之透明導電電極製作與製程最佳化

蕭碧芸
兼任助理 (碩士生)

鈣鈦礦上電池元件製作、寬能隙鈣鈦礦優化、元件特性量測

陳怡岑
兼任助理 (碩士生)

鈣鈦礦上電池元件製作、電極界面層優化、元件特性量測

江明勳
兼任助理 (碩士生)

雙面透光之透明導電電極製作與製程最佳化

蕭羽琁
兼任助理 (碩士生)

氣相鈣鈦礦兩步沈積製程開發與優化

林思妤
兼任助理 (碩士生)

雙面透光之透明導電電極製作與製程最佳化

本計畫之重大里程碑

突破多項關鍵性連結層的界面工程技術,成功將鈣鈦礦太陽能電池元件製作在矽基(Si heterojunction (HJT) cells)太陽能元件上,完成2T(2-terminal)的疊層式元件,元件照光面積2.56 cm2,達到VOC= 1.72 V, JSC= 19.05 mA/cm2, FF= 71.75%, PCE= 23.53 %的高光電轉換效能表現。之後可以藉由優化各項製程、連結界面的工程技術近一步再去提升整體元件的效能表現。

研究現況成果圖片

圖中之EQE圖所顯示的光譜響應,涵蓋鈣鈦礦(可見光區段)與矽基太陽能(近紅外光區段)元件的工作波段,符合疊層式元件的工作機制。此外,疊層元件在加入MgF2薄膜作為抗反射層anti-reflection coating (ARC)之後,其元件反射率的變化如圖中之元件照片所示,覆蓋有MgF2 ARC抗反射膜區域的顏色明顯較深於無ARC薄膜區域,顯示MgF2 ARC抗反射薄膜大幅降低元件光學的反射率,疊層式元件可以更有效率的應用入射光。因此在照光面積2.56 cm2的疊層式鈣鈦礦/矽太陽能電池,達成VOC= 1.72 V, JSC= 19.05 mA/cm2, FF= 71.75%, PCE= 23.53 %的高光電轉換效能表現。

圖中之EQE圖所顯示的光譜響應,涵蓋鈣鈦礦(可見光區段)與矽基太陽能(近紅外光區段)元件的工作波段,符合疊層式元件的工作機制。此外,疊層元件在加入MgF2薄膜作為抗反射層anti-reflection coating (ARC)之後,其元件反射率的變化如圖中之元件照片所示,覆蓋有MgF2 ARC抗反射膜區域的顏色明顯較深於無ARC薄膜區域,顯示MgF2 ARC抗反射薄膜大幅降低元件光學的反射率,疊層式元件可以更有效率的應用入射光。因此在照光面積2.56 cm2的疊層式鈣鈦礦/矽太陽能電池,達成VOC= 1.72 V, JSC= 19.05 mA/cm2, FF= 71.75%, PCE= 23.53 %的高光電轉換效能表現。

研究成果影片