原子層沉積技術是一次循環只能生長單層原子層級別獨特的表面成長機制，由於是自限制的表面反應，因此針孔和微粒含量通常很低，在複雜結構上成長出高均勻的薄膜、精確的厚度控制以及高縱橫比結構實現優異的階梯覆蓋率，克服了薄膜傳統製程的局限性。利用前驅物在基板表面進行具自我侷限(self-limiting)的序列性(sequential)反應。自我侷限的特性來自於飽和的單層化學吸附反應，並將不同前驅物在不同時間或空間，依序進入反應腔體，藉此達到精準膜厚控制、優良厚度均勻性以及高階梯覆蓋性。

1.廠牌型號：Oxford / FlexAL 
2.成長的速率：大約1埃（Å）/週期，視材料而定。 
3.薄膜均勻性：<±2~2.5% @150 mm，視材料而定。 
4.兩製程模式切換：Thermal ALD和Plasma ALE間快速切換。 
5.精確等離子能量控制：儀器提供壓力與功率精密調節，並配備RF基底偏壓可強製程控制和膜層應力。 
6.快速週期與靈敏材料處理：設備配有裝載鎖與自動壓力控制（APC）閥，作動時間僅150毫秒。

1. 提供Al₂O₃、HfO₂、SiO₂、TiN及 NbN沉積。
2. 長膜試片:1*1 cm² ~ full 6吋wafer。
3. 表面需乾淨無粉末殘留。