原子層刻蝕是一種原子級別的精度先進刻蝕技術，其技術是利用前驅物在基板表面進行具自我侷限(self-limiting)的序列性(sequential)蝕刻反應。類似原子層沉積，將前驅物及惰性轟擊性氣體在不同時間或空間，依序進入反應腔體。首先前驅物進行飽和化學吸附反應，將表面反應成待蝕刻狀態，接著導入低能量的離子電漿轟擊表面待蝕刻物。當被前驅物弱化的待蝕刻物蝕刻完畢，惰性轟擊性氣體濺射速率將慢到可忽略，因此達到精準蝕刻速率控制。

1.廠牌/型號：Oxford/ PlasmaPro100® Cobra

2.刻蝕均勻度：<±3% @150 mm

3.刻蝕的速率：3~5 Å/ 週期，視材料而定

4.快速控制：配方控制和氣體回應時間≧10毫秒

5.精細離子能量控制：Table RF功率控制3~300瓦特。搭配ALE功能，300功率控制低至1瓦特，精度提升至0.2瓦特。

1. 氯基與氟基的原子層蝕刻製程主要使用Cl₂、BCl₃、SiCl₄、Ar、O₂、CHF₃及SF₆等，利用氣體以飽和吸附和離子轟擊的周期性蝕刻過程，去除數個薄膜層，在精準的控制製程氣體與電漿製程下，提供高精準度的薄膜蝕刻。

2. 蝕刻試片尺寸：1*1 cm² ~ full 6吋wafer。